É possível fazer memória digital mais compacta que consuma menos energia?

Um grupo de investigadores franceses demonstrou recentemente que é viável, graças a uma nova classe de materiais conhecida como “multi-ferroso” ( multiferroics), que combina as propriedades eléctricas e magnéticas.
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Investigadores do laboratório de física do estado sólido do Institut Rayonnement-Matičre de Saclay and the Institut Néel, sintetizaram em primeira mão um componente “Multi-ferroso” BiFeO3 e demonstrou as interacções entre as suas ordens eléctricas e magnéticas.


Produziram um material formado por uma camada de BiFeO3 e um filme fino ferro-magnético e mostraram que conseguiram mudar a orientação preferencial da magnetização do filme ferro-magnético aplicando um campo eléctrico. Este resultado pioneiro comprova o conceito de armazenamento magnético usando um campo eléctrico.

Actualmente a informação é escrita nos discos duros usando um campo magnético que dirige a magnetização que significa 0 ou 1 (bits) . Com um material “multi-ferroso” cada elemento de memória pode ser colocado em quatro estados distintos em vez dos convencionais dois, ou seja, 2 no estado de polarização do campo eléctrico e 2 no estado de magnetização.

Fonte:http://www.physorg.com/news178546236.html